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当前位置：液晶技术 |
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| 今后将是“单晶硅阵列”的应用时代 |
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DATE 2007/12/13
资料来源 日经BP社
在12月5日～7日召开的“IDW
'07（第14届国际显示器技术专题讨论会）”上，CRT领域做了最后一次国际性发表，2008年3月关闭的液晶先端技术开发中心（ALTEDEC）也就7年来的成果发表了5篇论文（论文编号：AMD7-
2、 AMD7-4L、 AMDp-50L、AMDp-51L、 AMDp-58L）。该中心的远藤以“Recent
Advance in Single-Shot Laser Crystallization for Large Si
Grain Arrays”为题，介绍了玻璃底板上非晶硅的单结晶化技术。
使用ALTEDEC开发的“Phase-modulated Excimer Laser
Annealing”（利用激光干涉二维控制光强度）技术，可以形成呈阵列状的约5μm×3.5μm单晶硅薄膜。结晶不完全是单结晶，而是局部混有Σ3和Σ9的准单结晶（PSX：pseudo-single
crystal）。在该结晶内制作出通道宽2μm、通道长1μm的TFT，并评测了电气特性。结果显示，n通道晶体管的迁移率为848cm2s，p通道晶体管为181cm2s，与采用同样方法制成的SOI（＝SOS）特性相同。
另外，通过改善非晶硅层的薄膜层以及激光照射条件，可以获得21μm×15μm的单晶硅阵列。目前，通过一维发射，可以在2mm×2mm内形成上述阵列。如果扩展为二维发射，还可以支持大尺寸底板。（特约撰稿人：小穴
保久，LG飞利浦LCD日本研究所）
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